M29F400FT55N3F2 vs M29W400FT55N3F 比較

詳細な並列比較: M29F400FT55N3F2 メーカー: Micron Technology および M29W400FT55N3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ 生産中
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M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F400FT55N3F2 M29W400FT55N3F
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ EEPROM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.51 $1.92
メモリタイプ NOR Flash (SLC) NOR Flash
メモリサイズ 4 Mbit 4 Mbit
メモリ構成 256K x 16 4Mbit, block-organized, top boot block
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
電源電圧 5 V [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Block Architecture Top boot block —
パッケージ 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
動作温度 [DATA_NEEDED: min operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Bus Configuration — x8 / x16 (BYTE-selectable)
Program/Erase — Block erase, word/byte program
Suspend/Resume — Erase/program suspend and resume
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Prefix F in MPN — Pb-free package suffix

データシート&リソース

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