M29W160FB70N3E vs M29W800FB70N3F 比較

詳細な並列比較: M29W160FB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W800FB70N3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ 生産中
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W160FB70N3E M29W800FB70N3F
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.58 $0.91
メモリタイプ FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
メモリサイズ 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) —
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel —
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
パッケージ / ケース 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Density — 8 Mbit
メモリ構成 — 512K x 16 / 1M x 8
インターフェースタイプ — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
パッケージ — TSOP-48 (12 x 20 mm)
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼