M29W400FT55N3E vs M29W800FB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W400FT55N3E メーカー: Micron Technology および M29W800FB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 生産中
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M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FT55N3E M29W800FB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.80 $0.95
メモリタイプ Flash - NOR Memory IC NOR Flash
メモリサイズ 4 Mbit —
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) up to 3.6 V for program, erase and read
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
パッケージ 48-TSOP I 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
湿気感度レベル(MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
メモリ構成 — 512K x 16 / 1M x 8
データバス幅 — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
ピン数 — 48
RoHS ステータス — RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

データシート&リソース

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