M29W800FT70N3E vs M29W320DT70N3F 比較

詳細な並列比較: M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology および M29W320DT70N3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ 生産中
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M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W800FT70N3E M29W320DT70N3F
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Flash Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $2.95
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
Density 8 Mbit —
メモリ構成 1M x 8 / 512K x 16 —
Access Time 70 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming / Erase Supply Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) —
Boot Block Location Top boot block (FT variant) —
Bus Width 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) —
インターフェース Parallel, address/data bus Parallel (Byte-wide)
動作温度 -40C to +125C —
パッケージ 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Block Organization [DATA_NEEDED: block size/organization] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
メモリサイズ — 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16)
Access Speed — 70 ns
Supply Voltage - VCC — 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Organization — Top boot block (DT suffix)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks
パッケージ / ケース — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
Temperature Grade — Automotive
Max Seated Height — 1.2 mm
Number of Terminals — 48
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Write Cycle - Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]

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