MT40A1G8AG-062E vs H5ANAG4NBJR-RDC 比較
詳細な並列比較: MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5ANAG4NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A1G8AG-062E | H5ANAG4NBJR-RDC |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.10 | $5.75 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 | 4G x 4 |
| インターフェース | Parallel | SSTL-12 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns class (-062E speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| パッケージ | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Access Time (CAS Latency class) | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| CA Parity | Supported (DDR4 command/address parity) | — |
| Packaging Option | Tape and Reel (TR / :R suffix) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| データレート | — | 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) |
| Prefetch | — | 16n (bank group architecture) |
| 特長 | — | Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode |
| Refresh | — | Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] |
| Operating Temperature (case) | — | -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) |
| Temperature Grade Suffix | — | RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| Product Family | — | SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series |