MT40A256M16GE-083E vs MT40A256M16GE-075E:B 比較

詳細な並列比較: MT40A256M16GE-083E メーカー: Micron Technology および MT40A256M16GE-075E:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A256M16GE-083E MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron

MT40A256M16GE-083E ✗ 生産終了
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MT40A256M16GE-075E:B MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron

MT40A256M16GE-075E:B ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A256M16GE-083E MT40A256M16GE-075E:B
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 製造終了 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $3.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) 1.33 GHz
電源電圧 1.2 V —
パッケージ 96-ball FBGA, 9 x 14 mm 96-FBGA (9 x 14 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel —
Technology CMOS DRAM —
ECCN EAR99 —
Country of Origin China —
ハロゲンフリー Compliant —
Lead Free Yes —
Introduction Date August 2017 —
Lifecycle Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C
メモリサイズ — 4 Gbit
Memory Interface — Parallel
データレート — 2666 MT/s (DDR4-2666)
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
Internal Banks — 16
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable generation
Special Features — Temperature controlled refresh (TCR)
Access Time — [DATA_NEEDED: CAS latency / access time]

データシート&リソース

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