MT40A256M16LY-062E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E 比較

詳細な並列比較: MT40A256M16LY-062E メーカー: Micron Technology および MT40A512M16LY-062E AAT:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A256M16LY-062E MT40A512M16LY-062E AAT:E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.30 $9.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit 8 Gbit (1 GB)
メモリ構成 256M x16 —
インターフェース Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz
Access Time (tAA) 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Data Rate Class DDR4-2666 (062E speed grade) DDR4-3200 (062E speed bin)
パッケージ 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (IT variant) -40C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
CRC (Command/Address) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
FBGA Code D9XSG (AUT variant) —
RoHS ステータス Compliant (F = RoHS/lead-free finish) Compliant
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 19 ns
電源電圧 — 1.2 V
Speed Grade — 062E
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼