MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG4NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: MT40A2G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5ANAG4NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A2G8AG-062E H5ANAG4NBJR-RDC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.75 $5.75
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb (2 GB)
メモリ構成 2G x 8 4G x 4
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CASレイテンシ CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V 1.2 V
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix)
Die Revision AG (current generation) —
データレート — 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet])
Prefetch — 16n (bank group architecture)
インターフェース — SSTL-12
特長 — Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode
Refresh — Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option]
Operating Temperature (case) — -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions)
Temperature Grade Suffix — RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free
VDDQ — 1.2 V
Product Family — SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series

データシート&リソース

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