MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-VKI 比較

詳細な並列比較: MT40A2G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5ANAG8NCMR-VKI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKI H5ANAG8NCMR-VKI - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x8 | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-VKI - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x8 | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-VKI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NCMR-VKI
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.75 $0.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
メモリ構成 2G x 8 —
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CASレイテンシ CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision AG (current generation) —
メモリサイズ — 16 Gb
Memory Organization — x8
データレート — 2666 Mbps per pin
Technology — CMOS, volatile DRAM
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD]
Package Type — [DATA_NEEDED: package]
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh (tREFI) — [DATA_NEEDED: refresh interval]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
Product Status — Active
Clocking — Differential clock (CK / CK#), fully synchronous
On-Die Termination — Yes (ODT)

データシート&リソース

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