MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16HA-083E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16JY-075E メーカー: Micron Technology および MT40A512M16HA-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ 生産中
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MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16JY-075E MT40A512M16HA-083E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $30.50 $0.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz —
データレート 2666 MT/s 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-FBGA (8x14) 96-ball FBGA, 9 x 14 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
RoHS ステータス Compliant Compliant
特長 Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Memory Density — 8Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Data Interface — Parallel DDR4, 16-bit
VDD Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VDDQ Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VPP Supply — 2.5 V, -125 mV to +250 mV
I/O Interface — 1.2V pseudo open-drain
基準電圧 — On-die internal adjustable VREFDQ
Refresh Cycle Count — 8192 cycles
Refresh Time, -40C to 85C — 64 ms
Refresh Time, >85C to 95C — 32 ms
Refresh Time, >95C — 16 ms
Ball Pitch — 0.8 mm
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

データシート&リソース

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