MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A8G165WG-BCWE 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-062E AAT:E メーカー: Micron Technology および K4A8G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A8G165WG-BCWE
ブランド Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.20 $29.53
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (1 GB) 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
インターフェース Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
電源電圧 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
パッケージ 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
データレート — 3200 Mbps
動作温度範囲 — 0°C to +85°C
Operating Current — 20 mA
Memory Interface — Parallel
Row Cycle Time (tRC) — 19 ns
Technology — B-die
Lead-Free — Yes
ライフサイクル状態 — Active

データシート&リソース

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