MT40A512M16LY-062E-ATE vs MT40A512M16LY-062E:E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-062E-ATE メーカー: Micron Technology および MT40A512M16LY-062E:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ 生産中
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MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E:E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $34.10 $34.99
メモリタイプ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
メモリ構成 512M x 16 x16
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VPP) 2.5 V —
パッケージ 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) —
Ball Pitch 0.8 mm —
動作温度 -40C to +105C (automotive) [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
Speed Grade -062E (0.625 ns tCK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
On-Die Termination Yes (ODT) Yes (ODT)
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Yes (DM) —
Refresh Mode Auto self-refresh —
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
インターフェース — Parallel (LVCMOS / SSTL)
パッケージ / ケース — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

データシート&リソース

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