MT40A512M16TB-062E:R vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16TB-062E:R | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $60.00 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| データレート | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| CASレイテンシ | 22 | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 78-FBGA |
| インターフェース | Parallel | — |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| 特長 | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |