MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCPB 比較

詳細な並列比較: MT40A512M8RH-075E:B メーカー: Micron Technology および K4A4G085WD-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M8RH-075E:B K4A4G085WD-BCPB
ブランド Micron Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.15 $0.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2666 MT/s (DDR4-2666) —
Clock Frequency 1333 MHz (1.33 GHz) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
インターフェースタイプ Parallel —
I/O Structure 1.2V pseudo open-drain —
基準電圧 On-die internal adjustable VREFDQ generation —
パッケージ 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA FBGA-78 (PB)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) [DATA_NEEDED: refresh specification]
Speed Grade Suffix -075E —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (PB lead-free suffix)
Packaging Option Suffix :B (ball map B designation per Mouser listing) —
Die Generation — D-die
電源電圧 — 1.2 V
インターフェース — DDR4 (Double Data Rate 4)
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency]
ハロゲンフリー — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Datasheet Pages — 66 pages (K4A4G085WD family datasheet)

データシート&リソース

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