MT40A512M8RH-075E:B vs MT40A512M8RH-083E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M8RH-075E:B メーカー: Micron Technology および MT40A512M8RH-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-083E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.15 $3.30
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2666 MT/s (DDR4-2666) —
Clock Frequency 1333 MHz (1.33 GHz) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
インターフェースタイプ Parallel —
I/O Structure 1.2V pseudo open-drain 1.2 V pseudo open-drain
基準電圧 On-die internal adjustable VREFDQ generation —
パッケージ 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm)
実装タイプ Surface Mount —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] 0C to +95C
Refresh Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C)
Speed Grade Suffix -075E —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging Option Suffix :B (ball map B designation per Mouser listing) —
Industry Speed Grade — DDR4-2400
Clock Rate — 1.2 GHz
Internal Banks — 8 banks (2 groups of 4)
Prefetch — 8n-bit
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
VREFDQ — On-die internal, adjustable generation
FBGA Code — D9TGG
Marking Code — D9TGG
Data Strobe Preamble — Programmable
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table]

データシート&リソース

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