MT53E384M32D2DS-046 vs MT53E384M32D2DS-053 WT:E 比較

詳細な並列比較: MT53E384M32D2DS-046 メーカー: Micron Technology および MT53E384M32D2DS-053 WT:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT53E384M32D2DS-046 MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron

MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron

MT53E384M32D2DS-046 ✓ 生産中
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MT53E384M32D2DS-053 WT:E MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E384M32D2DS-053 WT:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT53E384M32D2DS-046 MT53E384M32D2DS-053 WT:E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $13.40 $11.30
メモリタイプ LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM
Memory Organization 384M x 32 —
Density 12 Gbit —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Speed Grade -046 (4266 MT/s class) -053
電源電圧 1.1 V —
パッケージ 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 x 14.5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Die Configuration DDP (Double Die Package) —
Qualification AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) —
Die Revision :E —
Access Type Parallel —
Memory Category Volatile DRAM —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25C to +85C
データレート [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] 1866 Mbps (1.866 GHz)
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E package suffix)
メモリサイズ — 12 Gbit
メモリ構成 — 384M x 32
Die Architecture — DDP (Double Die Package)
Supply Voltage Class — 1.1V (VDD2/VDDQ), LPDDR4 low-voltage I/O
インターフェース — LPDDR4 (JEDEC mobile DRAM interface)
Temperature Grade Suffix — WT (commercial/industrial), E (lead-free RoHS package code)
Memory IC Category — SDRAM - Mobile LPDDR4
Core Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VDD1 core voltage exact value]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval 32ms/64ms confirmation]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: tape and reel quantity]

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