MT53E512M32D2FW-046 AAT:D vs MT53E1G32D2FW-046 比較
詳細な並列比較: MT53E512M32D2FW-046 AAT:D メーカー: Micron Technology および MT53E1G32D2FW-046 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D ✓ 生産中Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron
MT53E1G32D2FW-046 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT53E512M32D2FW-046 AAT:D | MT53E1G32D2FW-046 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $13.75 | $295.93 |
| メモリタイプ | SDRAM - Mobile LPDDR4/LPDDR4X | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| メモリサイズ | 16 Gbit | 32 Gbit (4 GB) |
| メモリ構成 | 512M x 32 | 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels) |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 2133 MHz (2.133 GHz) | 2133 MHz (2.133 GHz) |
| Cycle Time | 3.5 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.1 V | — |
| Supply Voltage VDDQ (LPDDR4) | 1.1 V | — |
| Supply Voltage VDDQ (LPDDR4X) | 0.6 V | — |
| Core Voltage VDD2 | 1.8 V | — |
| 動作温度 | -40C to +105C (AAT:D grade) | — |
| パッケージ | 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (AUT:D variant verified; AAT:D automotive grade per Micron catalog) | — |
| Memory Configuration Speed Grade | -046 (2133) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| データレート | — | 4266 Mb/s per pin |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| Write Cycle Time | — | 18 ns |
| VDDQ I/O Voltage | — | 0.6 V |
| Ball Diameter | — | 0.40 mm (SMD balls) |
| Operating Temperature (AUT variant) | — | -40C to +125C |
| Die Revisions | — | :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB) |
| 特長 | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |