NT5CC256M16DP-DI vs K4B4G1646D-BYK00 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16DP-DI メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16DP-DI K4B4G1646D-BYK00
ブランド Nanya Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $7.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35V 1.35 V (also operates at 1.5 V)
データレート 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps
パッケージ VFBGA-96 96-ball TFBGA
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial) —
CASレイテンシ 11, 12, 13 (programmable) Programmable
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
インターフェース Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals — 96
動作温度 — 0°C to 85°C
Additional Features — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination
ハロゲンフリー — Yes
Package Shape — RECTANGULAR
Temperature Grade — OTHER

データシート&リソース

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