NT5CC256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DIB Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16CP-DII disebabkan oleh Nanya Technology dan NT5CC256M16CP-DIB disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT5CC256M16CP-DII | NT5CC256M16CP-DIB |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Kadar Data | 1600 Mbps | 1600 Mbps (DDR3L-1600) |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | 1.35V |
| Temperature Grade | Industrial | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Kemasan | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Boson Bebas | Yes | Yes |
| Gambaran Suhu Operasi | -40°C to +95°C | — |
| Density | — | 4Gb |
| Internal Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Package Shape | — | Rectangular |