10AX115H2F34I1SG vs 10AX115H1F34I1SG Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 10AX115H2F34I1SG por Altera e 10AX115H1F34I1SG por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Altera
10AX115H2F34I1SG - Arria 10 GX FPGA, 1.15M LE, 1152-FBGA | Intel / Altera
10AX115H2F34I1SG ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | 10AX115H2F34I1SG | 10AX115H1F34I1SG |
|---|---|---|
| Marca | Altera | Intel |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3.700,00 | $6.500,00 |
| Family | Arria 10 GX | Arria 10 |
| Logic Elements | 1,150,000 | — |
| Embedded Memory Bits | 68,857,856 bits | 68,857,856 |
| Process Technology | TSMC 20 nm | — |
| User I/O Count | 504 | — |
| Encapsulamento | 1152-ball FCBGA (F34) | — |
| Package Body Size | 35 mm x 35 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Grade | Industrial (-40 C to +100 C) | — |
| Core Voltage (SmartVID) | 0.85 V to 0.95 V | — |
| Transceiver Count | [DATA_NEEDED: channel count] | — |
| Max Transceiver Data Rate | 17.4 Gbps | — |
| Speed Grade | 1 | — |
| External Memory Interface | DDR4, DDR3, QDR II+, RLDRAM III up to 933 MHz | — |
| Hard Processor Subsystem | [DATA_NEEDED: presence on this variant] | — |
| Status RoHS | Compliant (SG suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED] | — |
| Series | — | Arria 10 GX |
| Logic Elements (LE) | — | 1,150,000 |
| Number of LABs/CLBs | — | [DATA_NEEDED: LAB count] |
| Number of Logic Elements / Cells | — | 1,150,000 |
| Total RAM Bits | — | 68,857,856 |
| Number of I/O | — | 504 |
| Voltage Supply | — | 0.87 V to 0.93 V core |
| Temperatura de operação | — | -40C to +100C (Industrial) |
| Encapsulamento / Caixa | — | 1152-BBGA, FCBGA |
| Supplier Device Package | — | 1152-FCBGA (F34) |
| Process Node | — | 20 nm TSMC |
| Transceiver Data Rate | — | Up to 14.1 Gbps |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | — | 3 (168 hours) |
| Grade | — | Industrial |