AS1541-BQFT vs ADS7825PG4 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de AS1541-BQFT por ams OSRAM e ADS7825PG4 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro AS1541-BQFT ADS7825PG4
Marca ams OSRAM Texas Instruments
Categoria ADC/DAC ADC/DAC
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,83 $7,20
Resolução 10 bits —
Number of Input Channels 4 (single-ended) 4 (single-ended / pseudo-differential)
Converter Type SAR (Successive Approximation Register) —
Taxa de amostragem 50 ksps 40 kS/s
Data Interface I2C (Standard 100 kHz / Fast 400 kHz) Serial (SPI/QSPI/MICROWIRE-compatible), Parallel
Analog Supply Voltage 2.7 V to 5.25 V 4.75 V to 5.25 V
Supply Current (typ) 1.5 mA at 50 ksps —
Internal Reference 2.5 V —
External Reference Support Yes —
Input Configuration Single-ended, software-selected via MUX —
Encapsulamento 16-TQFN (4x4 mm) with exposed pad —
Tipo de montagem Surface Mount Through-Hole (THT)
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free, Green)
Track-and-Hold On-chip —
Hardware Address Select Yes (AS pin, supports 2 addresses) —
Power-Down Mode Yes (software-controlled) —
Number of Bits — 16
Input Type — Single-ended, Pseudo-Differential
Architecture — SAR (Successive Approximation Register)
Digital Supply Voltage — 4.75 V to 5.25 V (or 5V AVDD-coupled)
Faixa de tensão de entrada — 0 V to VREF (unipolar), with PGA scaling
Tensão de referência — Internal 2.5 V (laser-trimmed) or external
Integral Nonlinearity (INL) — ±2.5 LSB max (typ. 0.0046% linearity error)
Power Dissipation — 50 mW max (operating), <100 µW (power-down)
Temperatura de operação — -40 °C to +85 °C
Encapsulamento / Caixa — 28-DIP (0.300 in, 7.62 mm)
Packaging — Tube

Fichas técnicas e recursos

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