BC817-40 vs BC817-40,215 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BC817-40 por Nexperia e BC817-40,215 por Nexperia. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nexperia
BC817-40,215 BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BC817-40 BC817-40,215
Marca Nexperia Nexperia
Categoria Transistors Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,02 $0,05
Tipo de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar (BJT)
Encapsulamento SOT-23 (TO-236AB), 3 pins SOT-23 (TO-236AB)
Tensão coletor-emissor (Vceo) 45 V 45 V
Tensão coletor-base (Vcbo) 50 V 50 V
Tensão emissor-base (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] [DATA_NEEDED: peak collector current]
Total Power Dissipation (Ptot) 310 mW —
DC Current Gain (hFE) - -40 bin 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) —
Frequência de transição (ft) 100 MHz 100 MHz
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) —
Base-Emitter Voltage (VBE) [DATA_NEEDED: VBE typical] —
Temperatura de junção de operação -65 C to +150 C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Complementary PNP Part BC807-40 —
Dissipação de potência (Ptot) — 250 mW
DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin — 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V)
Faixa de temperatura de operação — -65 C to +150 C (TJ)
JEDEC Package Standard — TO-236AB
Pin Configuration — Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector
RoHS Compliance — Compliant
Lead-Free Reflow — Yes (260 C peak per J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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