BSC014N04LSIATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSIATMA1 por Infineon e BSC019N04NSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N04LSIATMA1 BSC019N04NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,58
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) OptiMOS (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 30 A
RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mΩ
RDS(on) typ at VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 125 W

Fichas técnicas e recursos

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