BSC014N06NSATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N06NSATMA1 por Infineon e BSC030N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N06NSATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 156 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Livre de halogênio — Yes
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

Fichas técnicas e recursos

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