BSC014N06NSATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N06NSATMA1 por Infineon e IAUZ30N06S5L140ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 - 60V 30A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ30N06S5L140ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N06NSATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,96
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 156 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 33 W
RDS(on) Max @ VGS=10 V — 14 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 12.2 nC @ VGS=10 V
Output Capacitance (Coss) — 888 pF @ VDS=30 V
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Technology Family — OptiMOS 5
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage Max — ±20 V
Lead-Free / RoHS — Yes (RoHS compliant)

Fichas técnicas e recursos

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