BSC016N06NSTATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSTATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Fichas técnicas e recursos

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