BSC034N06NSATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC034N06NSATMA1 por Infineon e BSC097N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC034N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,38
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM peak value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C 74 W 36 W
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench)
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (Unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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