BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC036NE7NS3GATMA1 por Infineon e BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ AtivoInfineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC036NE7NS3GATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,82 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +150C |
| Contagem de pinos | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |