BSC0502NSIATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0502NSIATMA1 por Infineon e BSC034N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0502NSIATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,85 $0,65
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 26 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 2.3 mOhm —
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ 9.0 nC —
Output Charge QOSS Typ 13.5 nC —
Power Dissipation at TA (Ta=25C) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (Tc=25C) 43 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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