BSC050N04LSGATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC050N04LSGATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC050N04LSGATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,41 | $0,82 |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | 18 A | — |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | 85 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 57 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | 4 V (max, typical) |
| Technology | OptiMOS 3 (trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse avalanche) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento / Caixa | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |