BSC054N04NSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC054N04NSGATMA1 por Infineon e BSC059N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC054N04NSGATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,42 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |