BSC054N04NSGATMA1 vs IPD038N06NF2SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC054N04NSGATMA1 por Infineon e IPD038N06NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC054N04NSGATMA1 | IPD038N06NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,42 | $0,95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.85 mΩ max |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 68 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 6700 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 670 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 43 pF |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55°C to +175°C |
| Channel Mode | — | Enhancement |