BSC059N04LSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC059N04LSGATMA1 por Infineon e BSC030N03LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC059N04LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,38
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

Fichas técnicas e recursos

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