BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon e BSC0501NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC070N10NS5ATMA1 BSC0501NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,65
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench-gate OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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