BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC040N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC072N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC040N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC072N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,93
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 139 W
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] -55C to +150C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: Qg total]
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 4 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) max — 136 A
Output Capacitance Reduction — Up to 44% vs previous generation
RDS(on) Reduction — Up to 43% vs previous generation
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family)

Fichas técnicas e recursos

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