BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon e BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC077N12NS3GATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V 2.5-3.0 V
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

Fichas técnicas e recursos

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