BSC0901NSATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0901NSATMA1 por Infineon e BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0901NSATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 63 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A 18 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (junction, typical)
Encapsulamento TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Contagem de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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