BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon e BSC036NE7NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,83 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| Encapsulamento | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Status RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Livre de halogênio | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |