BSC0993NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0993NDATMA1 por Infineon e BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0993NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo NRND
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Encapsulamento PG-TISON-8 PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (100V)
Channel Mode Enhancement —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
ESD Protection Yes (integrated) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Fichas técnicas e recursos

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