BSC118N10NSGATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC118N10NSGATMA1 por Infineon e BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC118N10NSGATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench)
Lead Plating Pb-free —
Status RoHS Compliant Compliant
Livre de halogênio Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fichas técnicas e recursos

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