BSL215CH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSL215CH6327XTSA1 por Infineon e BSL308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSL215CH6327XTSA1 | BSL308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,21 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS |
| FET Type | N-Channel and P-Channel Complementary Pair | 2x P-Channel (Dual) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 1.5 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | 250 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 500 mW | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55C to +150C | -55 C to +150 C (TJ) |
| Configuration | Half-bridge (1 N + 1 P) | Dual, common source |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | — |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Encapsulamento | — | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Número de pinos | — | 6 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] |