BSO220N03MDGXUMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSO220N03MDGXUMA1 por Infineon e BSC0501NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSO220N03MDGXUMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,24 | $0,65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon |
| Series | OptiMOS™ 3M | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2N-CH), independent | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 7.7 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 22 mΩ max @ V_GS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 1.4 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | — |
| Encapsulamento | PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET) | Trench-gate OptiMOS 5 |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +150C |