BSP316PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon e BSR802NL6327HTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSP316PH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,21 | $0,15 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Número de pinos | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |
| Contagem de pinos | — | 3 |