BSS119NH6327XTSA1 vs BSS138NH6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS119NH6327XTSA1 por Infineon e BSS138NH6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS119NH6327XTSA1 BSS138NH6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,15
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT-23 (3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) Tape and Reel
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Livre de halogênio — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]

Fichas técnicas e recursos

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