BSS138NH6327XTSA2 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS138NH6327XTSA2 por Infineon e 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS138NH6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,08
Polarity N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 60 V —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.5 ohm —
Continuous Drain Current (Ta) 230 mA —
Power Dissipation (Ta) 360 mW —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] —
Encapsulamento PG-SOT-23 (3-pin) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +150C (Tj)
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
dv/dt Rated Yes —
Livre de halogênio Yes (per IEC 61249-2-21) —
RoHS Compliance Compliant —
AEC-Q101 Qualification Qualified —
Lead Plating Pb-free —
Marking Code [DATA_NEEDED: top-side marking code] —
Packaging Tape and Reel —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Qualification — Industrial / Commercial Grade

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação