BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ031NE2LS5ATMA1 por Infineon e BSC016N06NSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,26 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Series — OptiMOS

Fichas técnicas e recursos

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