BSZ060NE2LSATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ060NE2LSATMA1 por Infineon e BSC039N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSZ060NE2LSATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,27 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ060NE2LSATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 44 A | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 26 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Shipping Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +150C |
| Número de pinos | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |