EP20K200CB356C9 vs EP20K200EBC356-1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de EP20K200CB356C9 por Intel e EP20K200EBC356-1 por Altera. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | EP20K200CB356C9 | EP20K200EBC356-1 |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Altera |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | NRND | Obsolete |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $69,95 | $142,00 |
| Family | APEX 20KC | APEX 20K (APEX 20KE) |
| Logic Elements / Cells | 8,320 | 8,320 |
| Total RAM Bits | 106,496 | — |
| Typical Gate Count | 200,000 | — |
| Number of User I/O | 271 | — |
| Number of Logic Gates | [DATA_NEEDED: total usable gates] | — |
| Process Technology | 0.15 μm CMOS | 0.22 µm CMOS |
| Core Voltage | 1.8 V | 1.8 V (1.71 V to 1.89 V) |
| Maximum Internal Frequency | 250 MHz | — |
| Package Type | 356-LBGA | — |
| Número de pinos | 356 | — |
| Temperatura de operação | 0 °C to +85 °C (commercial, C-grade) | 0 °C to 85 °C (Commercial) |
| Configuration Method | SRAM-based, JTAG / passive serial / passive parallel | JTAG (ByteBlaster / MasterBlaster), passive serial |
| Embedded Memory | Embedded System Blocks (ESB) - dual-port RAM, ROM, CAM | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status not stated in verified sources] |
| Status do ciclo de vida | Not Recommended for New Designs (NRND) | Obsolete / EOL |
| System Gates | — | 200,000 |
| Maximum User I/Os | — | 277 |
| Propagation Delay | — | 2.5 ns |
| Internal Performance | — | Up to 367 MHz |
| Encapsulamento | — | 356-ball LBGA (35 x 35 mm) |
| Architecture | — | MultiCore (LUT + product-term + embedded memory) |
| On-chip Memory | — | Embedded System Blocks (ESB / SRAM) |
| Development Software | — | Altera Quartus II |