EP20K400CB652C9ES vs EP20K400CB652I8ES Comparação
Comparação detalhada lado a lado de EP20K400CB652C9ES por Intel e EP20K400CB652I8ES por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | EP20K400CB652C9ES | EP20K400CB652I8ES |
|---|---|---|
| Marca | Intel | Intel |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | NRND | Obsolete |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $195,00 | $86,00 |
| Series | APEX 20KC | — |
| Family | APEX 20KC | — |
| Logic Elements / Cells | 16640 | — |
| Total System Gates | 400000 | — |
| Embedded Memory (Bits) | 212992 | — |
| Number of User I/O | 488 | — |
| Number of LABs/CLBs | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Number of Logic Array Blocks | 1040 | — |
| Maximum Operating Frequency | 250 MHz | 301.21 MHz |
| Core Voltage | 1.8 V | — |
| Process Technology | 0.15 µm CMOS | 0.15 µm CMOS |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to +85°C (Commercial) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento / Caixa | 652-BGA | — |
| Nível MSL | 3 (168 Hours) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Programmability Type | In-system programmable (SRAM-based) | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, PCI, LVDS, HSTL, SSTL | — |
| JTAG (IEEE 1149.1) | Yes | — |
| PLL | Yes (4-phase) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Product Family | — | APEX 20KC |
| Logic Elements | — | 16640 |
| System Gates | — | 1052000 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 1664 |
| Embedded Memory (RAM bits) | — | 212992 |
| User I/O Pins | — | 488 |
| Core Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Encapsulamento | — | 652-ball BGA |
| Temperatura de operação | — | -40 °C to +100 °C (junction) |
| Configuration Interface | — | JTAG (IEEE 1149.1) + serial/parallel |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40 °C to +100 °C TJ) |