EP4CGX150DF31I7NAD vs EP4CGX150DF31I7N Comparação
Comparação detalhada lado a lado de EP4CGX150DF31I7NAD por Altera e EP4CGX150DF31I7N por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Altera
EP4CGX150DF31I7NAD - Cyclone IV GX FPGA 149K LEs | Altera | 896-BGA
EP4CGX150DF31I7NAD ✓ AtivoIntel
EP4CGX150DF31I7N - Cyclone IV GX FPGA, 149760 LE, 8x Transceivers | Intel
EP4CGX150DF31I7N ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | EP4CGX150DF31I7NAD | EP4CGX150DF31I7N |
|---|---|---|
| Marca | Altera | Intel |
| Categoria | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $372,40 | $285,00 |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 149,760 | 149760 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 9,360 CLBs | 9360 |
| Embedded Memory Bits | 6,635,520 bits | — |
| Embedded Memory Blocks (M9K) | 720 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 720 | — |
| Transceiver Channels | 8 (up to 3.125 Gbps) | — |
| PCI Express Hard IP Blocks | 2 | — |
| Maximum User I/O Pins | 475 | — |
| Encapsulamento | 896-ball FineLine BGA (FBGA-896), 31 mm, 1.0 mm pitch | 896-ball FBGA (DF31), 31x31 mm, 1.0 mm pitch |
| Speed Grade | 7 (industrial, -40C to +100C junction) | I7 |
| Temperatura de junção de operação | -40C to +100C | — |
| Core Voltage VCCINT | 1.0 V or 1.2 V (transceiver-dependent) | — |
| PLL Analog Voltage VCCA | 2.5 V | — |
| I/O Bank Voltage VCCIO | 1.2 V to 3.3 V (banked) | — |
| Configuration Modes | AS, PS, FPP, JTAG | — |
| Bitstream Encryption | AES-256 | — |
| Status RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant (lead-free) |
| Ordering Code Suffix | AD (Pb-free tray) | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 6635520 |
| Embedded Multiplier Blocks (18x18) | — | 720 |
| User I/O | — | 475 |
| Transceivers | — | 8 (up to 3.125 Gbps) |
| PCIe Hard Controllers | — | 2 (Gen1) |
| PLLs | — | 4 |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Temperatura de operação | — | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Technology | — | 60 nm |